เจาะประเด็น
Hardware / Memory
Kepler โผล่พ้นเงา หลังซุ่มพัฒนา 7 ปี หวังสร้าง HBM ทางเลือกด้วย FeRAM บนโรงงาน 28 นาโนเมตร
สตาร์ทอัพที่แทบไม่มีใครรู้จักอ้างว่าทำได้ใน 8 เดือน สิ่งที่อุตสาหกรรม DRAM ใช้เวลา 24 เดือน
ทีมข่าว เอไอไทย.com
⏱ อ่าน 4 นาที
ถ้าคุณไม่ต้องใช้เครื่องพิมพ์ EUV ราคาหลายพันล้าน ก็ไม่ต้องแย่งคิว TSMC — นี่คือประเด็นที่ Kepler กำลังเดิมพัน
หลังจากซุ่มเงียบอยู่ในโหมด stealth มาถึง 7 ปี สตาร์ทอัพชื่อ Kepler Computing ก็เปิดตัวออกมาพร้อมกับคำกล่าวอ้างที่ถ้าเป็นเมื่อ 3 ปีก่อนคงถูกหัวเราะใส่ — พวกเขาบอกว่าทำหน่วยความจำ HBM ทางเลือกได้ โดยไม่ต้องพึ่งโรงงาน cutting-edge node ไม่ต้องพึ่ง EUV และต้นทุนต่ำลงอย่างมีนัยสำคัญ
หัวใจของเรื่องนี้อยู่ที่วัสดุที่ชื่อ FeRAM หรือ ferroelectric RAM ซึ่ง Kepler เลือกใช้แทน DRAM แบบเดิมที่ต้องกัดด้วยลิเธโอกราฟฟีระดับสูงสุดของโลก แล้วหันมาใช้เทคนิค 3D stacking ร่วมกับวัสดุใหม่ที่ทีมพัฒนาขึ้นเอง จุดนี้แหละที่ทำให้เรื่องมันน่าสนใจ เพราะถ้าทำได้จริง มันไม่ใช่แค่ "หน่วยความจำอีกตัวหนึ่ง" แต่คือการย้ายสนามแข่งไปที่อื่นเลย
กว่าจะมาถึงจุดนี้ Kepler ผ่านการทดลองวัสดุคอมโพสิตมาแล้วถึง 35 รอบ กว่าจะตกผลึกเป็นดีไซน์เดียวที่ scale ได้จริง ตัวเลขนี้บอกอะไรบางอย่าง — มันไม่ใช่การเอาของสำเร็จรูปมาต่อกัน แต่เป็นการนั่งทำวิจัยวัสดุกันจริงจังเป็นปีๆ ซึ่งอธิบายได้ว่าทำไมถึงซุ่มมา 7 ปีโดยไม่เปิดปาก
ไทม์ไลน์ตรงนี้คือของจริงที่ Kepler เอามาโชว์ ในการร่วมมือช่วงแรกกับ GlobalFoundries พวกเขาแปลงโรงงานผลิตขนาด 28 นาโนเมตรมาตรฐานให้กลายเป็นโรงงานผลิตหน่วยความจำได้ในเวลาแค่ 8 เดือน เทียบกับกระบวนการมาตรฐานของ DRAM ทั่วไปที่ใช้เวลาประมาณ 24 เดือน — เร็วกว่ากัน 3 เท่า และที่สำคัญคือไม่ต้องรอคิวเครื่อง EUV ที่ทั้งโลกแย่งกันอยู่
ตอนนี้ Kepler แปรรูปเวเฟอร์ด้วยเทคโนโลยี DRAM ใหม่ไปแล้วราว 2,000 แผ่น โดยตัวอย่าง HBM ชุดแรกคาดว่าจะออกมาภายในปีนี้ ส่วนการผลิตระดับ volume เต็มรูปแบบนั้น เป้าหมายคือเริ่มที่โรงงาน GlobalFoundries ในสิงคโปร์ปีหน้า และตามด้วยการผลิตในสหรัฐฯ ในปี 2028
ต้องพูดตรงๆ ว่าไทม์ไลน์นี้ยังห่างจากคำว่า "พร้อมใช้จริง" พอสมควร ตัวอย่างชุดแรกกับ volume production จริงมันคนละเรื่องกัน และการพิสูจน์ว่า FeRAM จะให้ performance สู้ HBM ที่ตลาดต้องการจริงได้หรือไม่ ก็ยังไม่มีข้อมูลออกมาให้ตรวจสอบ นี่คือจุดที่ต้องจับตา เพราะคำว่า "ทางเลือกของ HBM" มันใหญ่กว่าคำว่า "หน่วยความจำใหม่" เยอะ
ไม่พึ่ง EUV
Kepler ใช้ mature node ที่มีอยู่แล้วผลิต HBM และ SRAM ด้วย FeRAM แทนที่จะต้องแย่งคิวเครื่อง EUV ราคาแพง
แปลงโรงงาน 8 เดือน
จากโรงงาน 28 นาโนเมตรมาตรฐานของ GlobalFoundries สู่ memory fab ใช้เวลาแค่ 8 เดือน เทียบกับ 24 เดือนของ DRAM ปกติ
2,000 เวเฟอร์แล้ว
ประมวลผลเวเฟอร์ด้วยเทคโนโลยี DRAM ใหม่ไปแล้วราว 2,000 แผ่น คาดตัวอย่าง HBM ชุดแรกออกภายในปีนี้
แผนผลิตจริง
เริ่ม volume production ที่สิงคโปร์ปีหน้า และตามด้วยสหรัฐฯ ในปี 2028
Kepler ไม่ได้ขายฝันเรื่อง performance ที่เหนือกว่าใคร แต่ขาย "เส้นทางผลิตที่ถูกกว่าและไม่ต้องแย่งคิว EUV" ซึ่งถ้าพิสูจน์ได้จริงในระดับ volume มันจะเปลี่ยนเกมต้นทุนหน่วยความจำทั้งอุตสาหกรรม — แต่ระหว่างนี้ยังต้องรอดูว่าตัวอย่าง HBM ชุดแรกจะออกมาแล้วปังจริงหรือแค่ผ่าน
ที่มา: TechPowerUp — อ่านต้นฉบับ
ความคิดเห็น 5
กำลังโหลดความคิดเห็น...