วิเคราะห์เจาะลึก
Hardware
ไมครอนเลิกวิจัย 4F2 DRAM หลังทุ่มเทมานานสองทศวรรษ พร้อมเทหมดหน้าตักให้ 3D DRAM
ยักษ์ใหญ่ชิปหน่วยความจำประกาศถอนตัวจากเทคโนโลยีเซลล์แรมที่พัฒนามาเกือบ 20 ปี สวนทางกับคู่แข่งในตลาดที่ยังเดินหน้าต่อ
ทีมข่าว เอไอไทย.com
⏱ อ่าน 3 นาที
การทิ้งงานวิจัย 20 ปีกลางคัน ไม่ใช่เรื่องที่บริษัทใหญ่จะทำกันง่ายๆ ถ้าไม่มีเหตุผลทางเศรษฐศาสตร์ที่หนักหน่วงพอกดดันเบื้องหลัง
มีข่าวใหญ่ในวงการฮาร์ดแวร์ที่น่าสนใจมาก เมื่อ Micron ตัดสินใจพับโปรเจกต์ 4F2 DRAM ทั้งที่บริษัทอ้างว่าเป็นคนคิดค้นดีไซน์เซลล์นี้ขึ้นมาเอง และใช้เวลาศึกษาค้นคว้ามานานร่วมยี่สิบปีเต็ม เรื่องนี้ถูกเปิดเผยออกมาจากปากของ Scott DeBoer ผู้บริหารระดับสูงของบริษัท ผ่านงานสัมมนาเทคโนโลยีเมื่อวันที่ 21 ตุลาคมที่ผ่านมา
ถ้ามองกันบนกระดาษ ดีไซน์แบบ 4F2 ดูน่าสนใจมาก เพราะมันใช้ทรานซิสเตอร์แบบแนวตั้งช่วยลดพื้นที่ของหน่วยความจำแต่ละเซลล์ลงไปได้ราวหนึ่งในสาม เมื่อเทียบกับดีไซน์ 6F2 แบบดั้งเดิมที่ใช้กันอยู่ในตลาด DRAM ทุกวันนี้ ใครฟังครั้งแรกก็ต้องคิดว่ามันคืออนาคตแน่ๆ แต่ในความเป็นจริงมันไม่ได้สวยงามแบบนั้น
เหตุผลหลักที่ Micron เบรกหัวระันท, ก็เพราะ DeBoer ออกมาฟันธงเลยว่า ความหนาแน่นที่แท้จริงในโลกความเป็นจริงมันถูกจำกัดด้วยระยะห่างของการอัดตัวเก็บประจุ ไม่ใช่พื้นที่หน้าตัดของตัวเซลล์อย่างที่หลายคนเข้าใจ ความได้เปรียบเรื่องความหนาแน่นเหนือดีไซน์ 6F2 จึงเป็นเรื่องที่เกินจริงไปหน่อย หรือที่เขาเรียกว่ามันค่อนข้างจะเป็นภาพลวงตา
เขายังยอมรับตรงๆ ว่าเทคโนโลยี 4F2 เนี่ย มันสร้างขึ้นมาได้จริงนะ แต่ปัญหาคือต้นทุนมันโคตรแพงแถมยังมีความซับซ้อนสูงมาก ยิ่งพอทำไปถึงโหนดการผลิตที่ล้ำมากๆ มันก็เจอทางตันเรื่องการขยายขนาดเข้าอย่างจัง ทำให้ทางออกที่ดูสมเหตุสมผลกว่าในสายตาของ Micron ตอนนี้คือการหันไปลุยกับ 3D DRAM แทนจะดีกว่า
การตัดสินใจแบบนี้ทำให้ทาง Micron เดินสวนทางกับคู่แข่งรายอื่นในตลาดแบบเต็มๆ เพราะทั้ง Samsung และ SK hynix เขากำลังพัฒนาดีไซน์ 4F2 กันอยู่เหมือนเดิม แถมฝั่งจีนอย่าง CXMT ก็ประกาศเสียงแข็งว่า ผลิตภัณฑ์ 4F2 ตัวแรกของพวกเขาที่จะเป็นแรมเซิร์ฟเวอร์ DDR5 RDIMM จะคลอดออกมาภายในสิ้นปีนี้ด้วยซ้ำ
ในเมื่อเป็นแบบนั้น Micron เลยเลือกที่จะรีดเค้นศักยภาพของดีไซน์ 6F2 แบบเดิมต่อไป โดยมีแผนจะดันโหนด 1-delta ออกมาผลิตที่โรงงานในรัฐไอดาโฮช่วงครึ่งหลังของปี 2027 ตามด้วยโหนด 1-epsilon ที่จะใช้เทคโนโลยีการเชื่อมต่อเวเฟอร์ ส่วนฝั่ง 3D DRAM ถูกวางไว้เป็นอีกเส้นทางหนึ่งที่พัฒนาคู่ขนานกันไป แต่ยังไม่มีกำหนดการชัดเจนว่าพร้อมจะใช้งานจริงเมื่อไหร่
การทิ้งงานวิจัยสองทศวรรษเพื่อไปวัดดวงกับเทคโนโลยีอื่น ถือเป็นเดิมพันครั้งใหญ่ในวันที่ตลาดแรมกำลังจะเดือดระอุ แต่อย่าลืมว่าถ้าคู่แข่งทำ 4F2 ให้ถูกและmass production ได้จริง Micron อาจจะต้องมานั่งเสียดายทีหลัง
ที่มา: TechPowerUp — อ่านต้นฉบับ
ความคิดเห็น 0
กำลังโหลดความคิดเห็น...